
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥8.02605 | ¥8.03 |
| 10 | ¥7.093993 | ¥70.94 |
| 100 | ¥5.437001 | ¥543.70 |
| 500 | ¥4.29782 | ¥2148.91 |
| 1000 | ¥3.438257 | ¥3438.26 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 6.5 A
漏源电阻 15.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 16.3 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7.2 ns
上升时间 19 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 34 ns
典型接通延迟时间 7.9 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RF6E065BN
单位重量 7.500 mg
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0RF6E065BNTCR
型号:RF6E065BNTCR
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥8.02605 |
| 10+: | ¥7.093993 |
| 100+: | ¥5.437001 |
| 500+: | ¥4.29782 |
| 1000+: | ¥3.438257 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥8.03