
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥37.058094 | ¥37.06 |
| 10 | ¥30.80454 | ¥308.05 |
| 100 | ¥24.51914 | ¥2451.91 |
| 500 | ¥20.746744 | ¥10373.37 |
| 1000 | ¥17.603175 | ¥17603.17 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 80 A
漏源电阻 5.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 71 nC
耗散功率 119 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 150 ns
上升时间 36 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 99 ns
典型接通延迟时间 28 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
购物车
0RD3L08BGNTL
型号:RD3L08BGNTL
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥37.058094 |
| 10+: | ¥30.80454 |
| 100+: | ¥24.51914 |
| 500+: | ¥20.746744 |
| 1000+: | ¥17.603175 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥37.06