货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥32.320676 | ¥32.32 |
10 | ¥26.866562 | ¥268.67 |
100 | ¥21.384672 | ¥2138.47 |
500 | ¥18.09453 | ¥9047.26 |
1000 | ¥15.352828 | ¥15352.83 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 80 A
漏源电阻 5.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 71 nC
耗散功率 119 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 150 ns
上升时间 36 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 99 ns
典型接通延迟时间 28 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
购物车
0RD3L08BGNTL
型号:RD3L08BGNTL
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥32.320676 |
10+: | ¥26.866562 |
100+: | ¥21.384672 |
500+: | ¥18.09453 |
1000+: | ¥15.352828 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥32.32