IPB50CN10NGATMA1
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- 制造商编号：
- IPB50CN10NGATMA1
- 制造商：
- ROCHESTER(罗彻斯特电子)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
- 渠道：
- digikey
库存 ：3000
货期：（7~10天）
起订量：533
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 533 | ￥8.000806 | ￥4264.43 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
IPB50CN10NGATMA1
制造商
ROCHESTER(罗彻斯特电子)
商品描述
OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
包装
Bulk
系列
OptiMOS™
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
50mOhm @ 20A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 20µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
16nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1.09pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
44W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PG-TO263-3-2
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB50CN10NGATMA1 同类别型号
注
IPB50CN10NGATMA1品牌厂家：ROCHESTER
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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数据手册PDF。
IPB50CN10NGATMA1
型号：IPB50CN10NGATMA1
品牌：ROCHESTER
供货：锐单
库存：3000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 533+： | ￥8.000806 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥0.00