
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥284.80479 | ¥284.80 |
| 10 | ¥253.088541 | ¥2530.89 |
| 100 | ¥221.355187 | ¥22135.52 |
| 500 | ¥188.889151 | ¥94444.58 |
制造商 Transphorm
商标 Transphorm
技术 GaN
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 46.5 A
漏源电阻 41 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.3 V
栅极电荷 36 nC
耗散功率 156 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11.5 ns
上升时间 13.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 98.5 ns
典型接通延迟时间 69 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
品牌:Transphorm
价格:¥244.807723
品牌:Transphorm
价格:¥29.686051
品牌:Transphorm
价格:¥54.019303
品牌:Transphorm
价格:¥16311.59849
购物车
0TP65H035WS
型号:TP65H035WS
品牌:Transphorm
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥284.80479 |
| 10+: | ¥253.088541 |
| 100+: | ¥221.355187 |
| 500+: | ¥188.889151 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥284.80