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TP65H035WS

Transphorm
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制造商编号:
TP65H035WS
制造商:
Transphorm
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
渠道:
digikey

库存 :863

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 248.396027 248.40
10 220.734307 2207.34
100 193.05767 19305.77
500 164.742014 82371.01

规格参数

关键信息

制造商 Transphorm

商标 Transphorm

技术类参数

技术 GaN

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 650 V

漏极电流 46.5 A

漏源电阻 41 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 3.3 V

栅极电荷 36 nC

耗散功率 156 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 11.5 ns

上升时间 13.5 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 98.5 ns

典型接通延迟时间 69 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 Through Hole

产品类型 MOSFET

单位重量 6 g

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TP65H035WS

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型号:TP65H035WS

品牌:Transphorm

供货:锐单

库存:863 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥248.396027
10+: ¥220.734307
100+: ¥193.05767
500+: ¥164.742014

货期:7-10天

+ -

单价:¥0.00总价:¥248.40