货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥248.396027 | ¥248.40 |
10 | ¥220.734307 | ¥2207.34 |
100 | ¥193.05767 | ¥19305.77 |
500 | ¥164.742014 | ¥82371.01 |
制造商 Transphorm
商标 Transphorm
技术 GaN
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 46.5 A
漏源电阻 41 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.3 V
栅极电荷 36 nC
耗散功率 156 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11.5 ns
上升时间 13.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 98.5 ns
典型接通延迟时间 69 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
品牌:Transphorm
价格:¥49.671215
品牌:Transphorm
价格:¥87.619247
品牌:Transphorm
价格:¥145.80108
品牌:Transphorm
价格:¥30.960623
购物车
0TP65H035WS
型号:TP65H035WS
品牌:Transphorm
供货:锐单
单价:
1+: | ¥248.396027 |
10+: | ¥220.734307 |
100+: | ¥193.05767 |
500+: | ¥164.742014 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥248.40