STL3N65M2
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- STL3N65M2
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 650V 2.3A POWERFLAT
- 渠道：
- digikey
库存 ：3329
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥18.204824 | ￥18.20 |
| 10 | ￥12.269134 | ￥122.69 |
| 100 | ￥8.53638 | ￥853.64 |
| 500 | ￥6.860618 | ￥3430.31 |
| 1000 | ￥6.310955 | ￥6310.95 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STL3N65M2
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET N-CH 650V 2.3A POWERFLAT
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
MDmesh™ M2
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
2.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
1.8Ohm @ 1A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
5nC @ 10V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
155pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
22W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PowerFlat™ (3.3x3.3)
封装/外壳
8-PowerVDFN
STL3N65M2 同类别型号
注
STL3N65M2品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购STL3N65M2、查询STL3N65M2代理商；
STL3N65M2价格批发咨询客服；这里拥有
STL3N65M2中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到STL3N65M2
替代型号
、STL3N65M2
数据手册PDF。
STL3N65M2
型号：STL3N65M2
品牌：ST
供货：锐单
库存：3329 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥18.204824 |
| 10+： | ￥12.269134 |
| 100+： | ￥8.53638 |
| 500+： | ￥6.860618 |
| 1000+： | ￥6.310955 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥18.20