
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ : 需询价 | ||
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 9 A
漏源电阻 500 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 16.5 nC
耗散功率 94 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 28 ns
正向跨导(Min) 2.3 S
上升时间 33 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 37 ns
典型接通延迟时间 20 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 R6009KNJ
单位重量 4 g
购物车
0R6009KNJTL
型号:R6009KNJTL
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00