货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥28.618629 | ¥28.62 |
10 | ¥25.711764 | ¥257.12 |
100 | ¥21.066528 | ¥2106.65 |
500 | ¥17.93338 | ¥8966.69 |
1000 | ¥15.124529 | ¥15124.53 |
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 29 A
漏源电阻 102 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 35 nC
耗散功率 208 W
通道模式 Enhancement
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
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0SIHG105N60EF-GE3
型号:SIHG105N60EF-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥28.618629 |
10+: | ¥25.711764 |
100+: | ¥21.066528 |
500+: | ¥17.93338 |
1000+: | ¥15.124529 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥28.62