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SIHG105N60EF-GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SIHG105N60EF-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET EF SERIES TO-247AC
渠道:
国内现货
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:500

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
500 14.527735 7263.87
1000 12.439373 12439.37
2500 12.257777 30644.44
5000 11.168196 55840.98
12500 10.895801 136197.51

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标 Vishay / Siliconix

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 600 V

漏极电流 29 A

漏源电阻 102 mOhms

栅极电压 - 30 V, + 30 V

栅源极阈值电压 5 V

栅极电荷 35 nC

耗散功率 208 W

通道模式 Enhancement

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 Through Hole

产品类型 MOSFET

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SIHG105N60EF-GE3

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型号:SIHG105N60EF-GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

500+: ¥14.527735
1000+: ¥12.439373
2500+: ¥12.257777
5000+: ¥11.168196
12500+: ¥10.895801

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