
货期:国内(1~3工作日)
起订量:500
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 500 | ¥14.527735 | ¥7263.87 |
| 1000 | ¥12.439373 | ¥12439.37 |
| 2500 | ¥12.257777 | ¥30644.44 |
| 5000 | ¥11.168196 | ¥55840.98 |
| 12500 | ¥10.895801 | ¥136197.51 |
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 29 A
漏源电阻 102 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 35 nC
耗散功率 208 W
通道模式 Enhancement
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
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0SIHG105N60EF-GE3
型号:SIHG105N60EF-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 500+: | ¥14.527735 |
| 1000+: | ¥12.439373 |
| 2500+: | ¥12.257777 |
| 5000+: | ¥11.168196 |
| 12500+: | ¥10.895801 |
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