
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥58.368507 | ¥58.37 |
| 10 | ¥52.361652 | ¥523.62 |
| 25 | ¥49.505562 | ¥1237.64 |
| 100 | ¥39.602749 | ¥3960.27 |
| 250 | ¥37.402881 | ¥9350.72 |
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 29 A
漏源电阻 102 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 35 nC
耗散功率 208 W
通道模式 Enhancement
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
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0SIHG105N60EF-GE3
型号:SIHG105N60EF-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥58.368507 |
| 10+: | ¥52.361652 |
| 25+: | ¥49.505562 |
| 100+: | ¥39.602749 |
| 250+: | ¥37.402881 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥58.37