
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥166.682435 | ¥166.68 |
| 10 | ¥153.705779 | ¥1537.06 |
| 100 | ¥131.255472 | ¥13125.55 |
制造商 IXYS
商标 IXYS
商标名 HiPerFET
栅极电压 - 15 V, + 15 V
配置 Single
下降时间 260 ns
漏极电流 660 A
通道数量 1 Channel
耗散功率 1.04 mW
漏源电阻 850 uOhms
上升时间 430 ns
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
典型关闭延迟时间 386 ns
典型接通延迟时间 40 ns
漏源击穿电压 40 V
栅源极阈值电压 2 V
产品种类 分立半导体模块
安装风格 Chassis Mount
产品类型 Discrete Semiconductor Modules
单位重量 30 g
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0IXTN660N04T4
型号:IXTN660N04T4
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥166.682435 |
| 10+: | ¥153.705779 |
| 100+: | ¥131.255472 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥166.68