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制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 29 A
漏源电阻 102 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 35 nC
耗散功率 208 W
通道模式 Enhancement
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
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0SIHG105N60EF-GE3
型号:SIHG105N60EF-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
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