货期:国内(1~3工作日)
起订量:10
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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10 | ¥157.48036 | ¥1574.80 |
制造商 IXYS
产品 Power MOSFET Modules
商标 IXYS
商标名 HyperFET
栅极电压 - 20 V, + 20 V
配置 Single
下降时间 30 ns
漏极电流 106 A
通道数量 1 Channel
耗散功率 520 W
漏源电阻 20 mOhms
上升时间 80 ns
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
典型关闭延迟时间 75 ns
典型接通延迟时间 30 ns
漏源击穿电压 200 V
高度 9.6 mm
长度 38.2 mm
宽度 25.07 mm
产品种类 分立半导体模块
安装风格 Chassis Mount
产品类型 Discrete Semiconductor Modules
单位重量 30 g
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0IXFN106N20
型号:IXFN106N20
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
10+: | ¥157.48036 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00