
货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥424.95025 | ¥424.95 |
| 10 | ¥391.969235 | ¥3919.69 |
| 100 | ¥334.714245 | ¥33471.42 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
产品 MOSFET Gate Drivers
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 150 V
漏极电流 360 A
漏源电阻 4 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 715 nC
耗散功率 1.67 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 265 ns
上升时间 170 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 10 g
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0IXFK360N15T2
型号:IXFK360N15T2
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥424.95025 |
| 10+: | ¥391.969235 |
| 100+: | ¥334.714245 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥424.95