货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥169.609585 | ¥169.61 |
10 | ¥155.909249 | ¥1559.09 |
100 | ¥134.636546 | ¥13463.65 |
制造商 Infineon
商标名 CoolSiC
商标 Infineon Technologies
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1.2 kV
漏极电流 52 A
漏源电阻 59 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 52 nC
耗散功率 228 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13 ns
正向跨导(Min) 11.1 S
上升时间 24 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 17 ns
典型接通延迟时间 9 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IMW120R045M1 SP001346254
单位重量 6 g
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0IMW120R045M1XKSA1
型号:IMW120R045M1XKSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥169.609585 |
10+: | ¥155.909249 |
100+: | ¥134.636546 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥169.61