货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥1.018605 | ¥3055.82 |
6000 | ¥0.966786 | ¥5800.72 |
9000 | ¥0.897765 | ¥8079.89 |
30000 | ¥0.877039 | ¥26311.17 |
75000 | ¥0.854655 | ¥64099.13 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 31.8 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 8.8 nC
耗散功率 2.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
上升时间 17 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 31 ns
典型接通延迟时间 8 ns
高度 1.45 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI2312CDS-T1-BE3 SI2312CDS-GE3 SI7621DN-T1-GE3
单位重量 8 mg
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0SI2312CDS-T1-GE3
型号:SI2312CDS-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.018605 |
6000+: | ¥0.966786 |
9000+: | ¥0.897765 |
30000+: | ¥0.877039 |
75000+: | ¥0.854655 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00