SIRA60DP-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SIRA60DP-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO
- 渠道：
- digikey
库存 ：11641
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥21.987757 | ￥21.99 |
| 10 | ￥19.707545 | ￥197.08 |
| 100 | ￥15.365642 | ￥1536.56 |
| 500 | ￥12.692909 | ￥6346.45 |
| 1000 | ￥10.020717 | ￥10020.72 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 940 uOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 125 nC
耗散功率 57 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
SIRA60DP-T1-GE3 同类别型号
注
SIRA60DP-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SIRA60DP-T1-GE3
数据手册PDF。
SIRA60DP-T1-GE3
型号：SIRA60DP-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：11641 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥21.987757 |
| 10+： | ￥19.707545 |
| 100+： | ￥15.365642 |
| 500+： | ￥12.692909 |
| 1000+： | ￥10.020717 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥21.99