IXFN160N30T
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- 制造商编号：
- IXFN160N30T
- 制造商：
- IXYS(艾赛斯.力特)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 300V 130A SOT227
- 渠道：
- 国内现货mouserdigikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥181.07044 | ￥181.07 |
| 10 | ￥167.009271 | ￥1670.09 |
| 100 | ￥142.61592 | ￥14261.59 |
| 500 | ￥132.772751 | ￥66386.38 |
规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标 IXYS
商标名 HiPerFET
技术类参数
栅极电压 - 20 V, + 20 V
配置 Single
下降时间 25 ns
漏极电流 130 A
通道数量 1 Channel
耗散功率 900 W
漏源电阻 19 mOhms
上升时间 38 ns
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
典型关闭延迟时间 105 ns
典型接通延迟时间 37 ns
漏源击穿电压 300 V
栅源极阈值电压 5 V
外形参数
高度 12.22 mm
长度 38.23 mm
宽度 25.42 mm
物理类型
产品种类 分立半导体模块
类型 GigaMOS Power MOSFET
安装风格 Chassis Mount
产品类型 Discrete Semiconductor Modules
单位重量 30 g
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注
IXFN160N30T品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、IXFN160N30T
数据手册PDF。
IXFN160N30T
型号：IXFN160N30T
品牌：IXYS
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥181.07044 |
| 10+： | ￥167.009271 |
| 100+： | ￥142.61592 |
| 500+： | ￥132.772751 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥181.07