货期:国内(1~3工作日)
起订量:5
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
5 | ¥1.938207 | ¥9.69 |
50 | ¥1.584154 | ¥79.21 |
150 | ¥1.432492 | ¥214.87 |
500 | ¥1.129377 | ¥564.69 |
2500 | ¥1.045144 | ¥2612.86 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 14.4 A
漏源电阻 61 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.2 V
栅极电荷 4.3 nC
耗散功率 2.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2 ns
上升时间 3 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 7 ns
典型接通延迟时间 5 ns
高度 0.9 mm
长度 3.15 mm
宽度 3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 27.300 mg
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0CSD19538Q3A
型号:CSD19538Q3A
品牌:TI
供货:锐单
单价:
5+: | ¥1.938207 |
50+: | ¥1.584154 |
150+: | ¥1.432492 |
500+: | ¥1.129377 |
2500+: | ¥1.045144 |
货期:1-2天
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