货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥7.958816 | ¥7.96 |
10 | ¥6.986072 | ¥69.86 |
100 | ¥5.358937 | ¥535.89 |
500 | ¥4.236112 | ¥2118.06 |
1000 | ¥3.38894 | ¥3388.94 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 14.4 A
漏源电阻 61 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.2 V
栅极电荷 4.3 nC
耗散功率 2.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2 ns
上升时间 3 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 7 ns
典型接通延迟时间 5 ns
高度 0.9 mm
长度 3.15 mm
宽度 3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 27.300 mg
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0CSD19538Q3A
型号:CSD19538Q3A
品牌:TI
供货:锐单
单价:
1+: | ¥7.958816 |
10+: | ¥6.986072 |
100+: | ¥5.358937 |
500+: | ¥4.236112 |
1000+: | ¥3.38894 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥7.96