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起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2500 | ¥2.728331 | ¥6820.83 |
5000 | ¥2.591922 | ¥12959.61 |
12500 | ¥2.494446 | ¥31180.58 |
25000 | ¥2.436046 | ¥60901.15 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 15.5 A
漏源电阻 8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 41.3 nC
耗散功率 2.9 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9.7 ns
上升时间 4.3 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 23.4 ns
典型接通延迟时间 5.7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 97 mg
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0DMTH6010LPSWQ-13
型号:DMTH6010LPSWQ-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥2.728331 |
5000+: | ¥2.591922 |
12500+: | ¥2.494446 |
25000+: | ¥2.436046 |
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