
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥203.81387 | ¥203.81 |
| 10 | ¥187.969476 | ¥1879.69 |
| 100 | ¥160.5119 | ¥16051.19 |
| 500 | ¥145.728086 | ¥72864.04 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 150 A
漏源电阻 17 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.7 V
栅极电荷 430 nC
耗散功率 1.56 kW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
正向跨导(Min) 56 S
上升时间 35 ns
典型关闭延迟时间 88 ns
典型接通延迟时间 62 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 1.600 g
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0IXFB150N65X2
型号:IXFB150N65X2
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥203.81387 |
| 10+: | ¥187.969476 |
| 100+: | ¥160.5119 |
| 500+: | ¥145.728086 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥203.81