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制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 24 A
漏源电阻 120 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 44 nC
耗散功率 156 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 29 ns
正向跨导(Min) 6.9 S
上升时间 47 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 38 ns
典型接通延迟时间 25 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 50 mg
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0SIHH120N60E-T1-GE3
型号:SIHH120N60E-T1-GE3
品牌:SILICONIX
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