SIR436DP-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SIR436DP-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥10.767006 | ￥10.77 |
| 10 | ￥8.854445 | ￥88.54 |
| 25 | ￥8.33593 | ￥208.40 |
| 100 | ￥7.757911 | ￥775.79 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
SIR436DP-T1-GE3
制造商
SILICONIX(威世)
商品描述
MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
TrenchFET®
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
4.6mOhm @ 20A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
47nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1715pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
5W (Ta), 50W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8
封装/外壳
PowerPAK® SO-8
SIR436DP-T1-GE3 同类别型号
注
SIR436DP-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SIR436DP-T1-GE3
数据手册PDF。
SIR436DP-T1-GE3
型号：SIR436DP-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥10.767006 |
| 10+： | ￥8.854445 |
| 25+： | ￥8.33593 |
| 100+： | ￥7.757911 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥10.77