FCD360N65S3R0
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- 制造商编号：
- FCD360N65S3R0
- 制造商：
- ON(安森美)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
- 渠道：
- 国内现货自营digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：2500
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ￥5.808063 | ￥14520.16 |
| 5000 | ￥5.589712 | ￥27948.56 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 10 A
漏源电阻 360 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 18 nC
耗散功率 83 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导（Min） 6 S
上升时间 11 ns
典型关闭延迟时间 34 ns
典型接通延迟时间 12 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
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注
FCD360N65S3R0品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、FCD360N65S3R0
数据手册PDF。
FCD360N65S3R0
型号：FCD360N65S3R0
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2500+： | ￥5.808063 |
| 5000+： | ￥5.589712 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00