
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1000 | ¥19.808417 | ¥19808.42 |
| 2000 | ¥19.293912 | ¥38587.82 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 65 A
漏源电阻 9.1 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 260 nC
耗散功率 100 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RSJ650N10
单位重量 4 g
购物车
0RSJ650N10TL
型号:RSJ650N10TL
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 1000+: | ¥19.808417 |
| 2000+: | ¥19.293912 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00