货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥19.878358 | ¥19.88 |
10 | ¥17.883372 | ¥178.83 |
100 | ¥14.374627 | ¥1437.46 |
500 | ¥11.810034 | ¥5905.02 |
1000 | ¥9.785514 | ¥9785.51 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVIII-H
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 148 A
漏源电阻 4 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 81 nC
耗散功率 192 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 26 ns
上升时间 19 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 85 ns
典型接通延迟时间 44 ns
高度 15.1 mm
长度 10.16 mm
宽度 4.45 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0TK65E10N1,S1X
型号:TK65E10N1,S1X
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥19.878358 |
10+: | ¥17.883372 |
100+: | ¥14.374627 |
500+: | ¥11.810034 |
1000+: | ¥9.785514 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥19.88