FQP9N25C
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- 制造商编号：
- FQP9N25C
- 制造商：
- ROCHESTER(罗彻斯特电子)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- N-CHANNEL POWER MOSFET
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：50
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 50 | ￥2.707668 | ￥135.38 |
| 100 | ￥2.656114 | ￥265.61 |
| 200 | ￥2.604558 | ￥520.91 |
| 300 | ￥2.599373 | ￥779.81 |
| 500 | ￥2.583965 | ￥1291.98 |
| 1000 | ￥2.57878 | ￥2578.78 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
FQP9N25C
制造商
ROCHESTER(罗彻斯特电子)
商品描述
N-CHANNEL POWER MOSFET
包装
Tube
系列
QFET®
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
250V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
8.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
430mOhm @ 4.4A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
35nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
710pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
74W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
TO-220-3
封装/外壳
TO-220-3
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注
FQP9N25C品牌厂家：ROCHESTER
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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、FQP9N25C
数据手册PDF。
FQP9N25C
型号：FQP9N25C
品牌：ROCHESTER
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 50+： | ￥2.707668 |
| 100+： | ￥2.656114 |
| 200+： | ￥2.604558 |
| 300+： | ￥2.599373 |
| 500+： | ￥2.583965 |
| 1000+： | ￥2.57878 |
货期：7-10天
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