货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥17.545924 | ¥17.55 |
10 | ¥15.7694 | ¥157.69 |
100 | ¥12.673275 | ¥1267.33 |
500 | ¥10.412483 | ¥5206.24 |
1000 | ¥8.627404 | ¥8627.40 |
制造商 onsemi
商标名 SuperFET II
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 4.7 A
漏源电阻 600 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 26 nC
耗散功率 89 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 28 ns
正向跨导(Min) 6.7 S
上升时间 24 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 88 ns
典型接通延迟时间 36 ns
高度 16.3 mm
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0FCP600N60Z
型号:FCP600N60Z
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥17.545924 |
10+: | ¥15.7694 |
100+: | ¥12.673275 |
500+: | ¥10.412483 |
1000+: | ¥8.627404 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥17.55