货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥79.202092 | ¥79.20 |
10 | ¥71.170678 | ¥711.71 |
100 | ¥58.30806 | ¥5830.81 |
500 | ¥49.636604 | ¥24818.30 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 65 A
漏源电阻 9.1 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 260 nC
耗散功率 100 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RSJ650N10
单位重量 4 g
购物车
0RSJ650N10TL
型号:RSJ650N10TL
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥79.202092 |
10+: | ¥71.170678 |
100+: | ¥58.30806 |
500+: | ¥49.636604 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥79.20