
货期:(7~10天)
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| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥53.035862 | ¥53.04 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 65 A
漏源电阻 9.1 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 260 nC
耗散功率 100 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RSJ650N10
单位重量 4 g
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0RSJ650N10TL
型号:RSJ650N10TL
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥53.035862 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥53.04