货期:国内(1~3工作日)
起订量:10
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
10 | ¥26.741808 | ¥267.42 |
100 | ¥19.81368 | ¥1981.37 |
200 | ¥15.29496 | ¥3058.99 |
500 | ¥12.987648 | ¥6493.82 |
800 | ¥11.681424 | ¥9345.14 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 50 A
漏源电阻 12.1 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 34 nC
耗散功率 60 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.5 ns
正向跨导(Min) -
上升时间 3.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 16.5 ns
典型接通延迟时间 4.9 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 340 mg
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0DMTH8012LK3-13
型号:DMTH8012LK3-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
10+: | ¥26.741808 |
100+: | ¥19.81368 |
200+: | ¥15.29496 |
500+: | ¥12.987648 |
800+: | ¥11.681424 |
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