
货期:国内(1~3工作日)
起订量:10
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 10 | ¥17.190591 | ¥171.91 |
| 200 | ¥10.25475 | ¥2050.95 |
| 800 | ¥7.178325 | ¥5742.66 |
| 2500 | ¥5.127375 | ¥12818.44 |
| 5000 | ¥4.870976 | ¥24354.88 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 50 A
漏源电阻 12.1 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 34 nC
耗散功率 60 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.5 ns
正向跨导(Min) -
上升时间 3.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 16.5 ns
典型接通延迟时间 4.9 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 340 mg
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0DMTH8012LK3-13
型号:DMTH8012LK3-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 10+: | ¥17.190591 |
| 200+: | ¥10.25475 |
| 800+: | ¥7.178325 |
| 2500+: | ¥5.127375 |
| 5000+: | ¥4.870976 |
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