货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥17.545554 | ¥17.55 |
10 | ¥15.679794 | ¥156.80 |
25 | ¥14.876652 | ¥371.92 |
100 | ¥11.15749 | ¥1115.75 |
250 | ¥11.051227 | ¥2762.81 |
500 | ¥9.457301 | ¥4728.65 |
1000 | ¥7.703981 | ¥7703.98 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 35.3 A
漏源电阻 14.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 20 nC
耗散功率 52 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 19 ns
典型接通延迟时间 12 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
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0SIS606BDN-T1-GE3
型号:SIS606BDN-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥17.545554 |
10+: | ¥15.679794 |
25+: | ¥14.876652 |
100+: | ¥11.15749 |
250+: | ¥11.051227 |
500+: | ¥9.457301 |
1000+: | ¥7.703981 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥17.55