RS1E350GNTB
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- RS1E350GNTB
- 制造商：
- ROHM(罗姆)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- 4.5V DRIVE NCH MOSFET. POWER MOS
- 渠道：
- digikey
库存 ：2350
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 80 A
漏源电阻 1.76 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 68 nC
耗散功率 39 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 55.1 ns
上升时间 21.3 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 92.5 ns
典型接通延迟时间 25.3 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RS1E350GN
单位重量 771.020 mg
RS1E350GNTB 同类别型号
注
RS1E350GNTB品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、RS1E350GNTB
数据手册PDF。
RS1E350GNTB
型号：RS1E350GNTB
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：2350 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥0.00