货期:国内(1~3工作日)
起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2500 | ¥6.638122 | ¥16595.31 |
5000 | ¥6.388587 | ¥31942.94 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 200 A
漏源电阻 1.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 153 nC
耗散功率 156 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 15 ns
正向跨导(Min) 147 S
上升时间 17 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 44 ns
典型接通延迟时间 8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 120.700 mg
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0CSD18510Q5B
型号:CSD18510Q5B
品牌:TI
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥6.638122 |
5000+: | ¥6.388587 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00