SQP120N06-6M7_GE3
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- 制造商编号：
- SQP120N06-6M7_GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
- 渠道：
- digikey
库存 ：500
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥39.101233 | ￥39.10 |
| 10 | ￥35.134442 | ￥351.34 |
| 25 | ￥33.151046 | ￥828.78 |
| 100 | ￥25.857816 | ￥2585.78 |
| 250 | ￥25.194795 | ￥6298.70 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 119 A
漏源电阻 4.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 96.5 nC
耗散功率 175 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
上升时间 14 ns
典型关闭延迟时间 34 ns
典型接通延迟时间 16 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
SQP120N06-6M7_GE3 同类别型号
注
SQP120N06-6M7_GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SQP120N06-6M7_GE3
数据手册PDF。
SQP120N06-6M7_GE3
型号：SQP120N06-6M7_GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：500 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥39.101233 |
| 10+： | ￥35.134442 |
| 25+： | ￥33.151046 |
| 100+： | ￥25.857816 |
| 250+： | ￥25.194795 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥39.10