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SQP120N06-6M7_GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SQP120N06-6M7_GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
渠道:
digikey

库存 :500

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 39.10242 39.10
10 35.135508 351.36
25 33.152052 828.80
100 25.858601 2585.86
250 25.195559 6298.89

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay / Siliconix

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 60 V

漏极电流 119 A

漏源电阻 4.5 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 3 V

栅极电荷 96.5 nC

耗散功率 175 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 9 ns

上升时间 14 ns

典型关闭延迟时间 34 ns

典型接通延迟时间 16 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 Through Hole

资格 AEC-Q101

产品类型 MOSFET

单位重量 2 g

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SQP120N06-6M7_GE3

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型号:SQP120N06-6M7_GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:500 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥39.10242
10+: ¥35.135508
25+: ¥33.152052
100+: ¥25.858601
250+: ¥25.195559

货期:7-10天

+ -

单价:¥0.00总价:¥39.10