货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥5.169944 | ¥5.17 |
10 | ¥3.816254 | ¥38.16 |
30 | ¥3.571438 | ¥107.14 |
100 | ¥3.326622 | ¥332.66 |
500 | ¥3.211414 | ¥1605.71 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 55 V
漏极电流 36 A
漏源电阻 40 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 32 nC
耗散功率 69 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 15 ns
上升时间 84 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 26 ns
典型接通延迟时间 11 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 HEXFET Power MOSFET
零件号别名 IRLR2905TRPBF SP001558410
单位重量 330 mg
购物车
0IRLR2905TRPBF
型号:IRLR2905TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥5.169944 |
10+: | ¥3.816254 |
30+: | ¥3.571438 |
100+: | ¥3.326622 |
500+: | ¥3.211414 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.17