货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥217.849402 | ¥217.85 |
10 | ¥200.924962 | ¥2009.25 |
100 | ¥171.577869 | ¥17157.79 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 70 A
漏源电阻 30 mOhms
栅极电压 - 4 V, + 22 V
栅源极阈值电压 2.7 V
栅极电荷 104 nC
耗散功率 262 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 27 ns
正向跨导(Min) 9.4 S
上升时间 41 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 48 ns
典型接通延迟时间 22 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 SCT3030AL
单位重量 6 g
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0SCT3030ALGC11
型号:SCT3030ALGC11
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥217.849402 |
10+: | ¥200.924962 |
100+: | ¥171.577869 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥217.85