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IPS60R210PFD7SAKMA1

INFINEON(英飞凌)
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制造商编号:
IPS60R210PFD7SAKMA1
制造商:
INFINEON(英飞凌)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 600V
渠道:
国内现货
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 10.275351 10.28
10 8.518982 85.19
100 6.781732 678.17

规格参数

关键信息

制造商 Infineon

商标 Infineon Technologies

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 650 V

漏极电流 16 A

漏源电阻 210 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 4 V

栅极电荷 23 nC

耗散功率 64 W

通道模式 Enhancement

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 Through Hole

产品类型 MOSFET

零件号别名 IPS60R210PFD7S SP003235784

单位重量 340 mg

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IPS60R210PFD7SAKMA1

锐单logo

型号:IPS60R210PFD7SAKMA1

品牌:INFINEON

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥10.275351
10+: ¥8.518982
100+: ¥6.781732

货期:1-2天

+ -

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