
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥15.442151 | ¥15.44 |
| 10 | ¥13.798766 | ¥137.99 |
| 100 | ¥10.752838 | ¥1075.28 |
| 500 | ¥8.882778 | ¥4441.39 |
| 1000 | ¥7.012719 | ¥7012.72 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 10 A
漏源电阻 8.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 9.9 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
上升时间 17 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 31 ns
典型接通延迟时间 7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
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0RQ3E100MNTB1
型号:RQ3E100MNTB1
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥15.442151 |
| 10+: | ¥13.798766 |
| 100+: | ¥10.752838 |
| 500+: | ¥8.882778 |
| 1000+: | ¥7.012719 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥15.44