货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥13.468063 | ¥13.47 |
10 | ¥12.034764 | ¥120.35 |
100 | ¥9.378221 | ¥937.82 |
500 | ¥7.747225 | ¥3873.61 |
1000 | ¥6.116231 | ¥6116.23 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 10 A
漏源电阻 8.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 9.9 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
上升时间 17 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 31 ns
典型接通延迟时间 7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
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0RQ3E100MNTB1
型号:RQ3E100MNTB1
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥13.468063 |
10+: | ¥12.034764 |
100+: | ¥9.378221 |
500+: | ¥7.747225 |
1000+: | ¥6.116231 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥13.47