IPB025N08N3GATMA1
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- 制造商编号：
- IPB025N08N3GATMA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3
- 渠道：
- digikey
库存 ：14109
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥69.912642 | ￥69.91 |
| 10 | ￥48.801166 | ￥488.01 |
| 100 | ￥36.190884 | ￥3619.09 |
| 500 | ￥32.382558 | ￥16191.28 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
IPB025N08N3GATMA1
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
OptiMOS™
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
80V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
2.5mOhm @ 100A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3.5V @ 270µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
206nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
14200pF @ 40V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
300W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
D²PAK (TO-263AB)
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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注
IPB025N08N3GATMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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数据手册PDF
。
IPB025N08N3GATMA1
型号：IPB025N08N3GATMA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：14109 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥69.912642 |
| 10+： | ￥48.801166 |
| 100+： | ￥36.190884 |
| 500+： | ￥32.382558 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥69.91