货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥20.866432 | ¥20.87 |
10 | ¥18.753037 | ¥187.53 |
100 | ¥15.364248 | ¥1536.42 |
500 | ¥13.07924 | ¥6539.62 |
1000 | ¥11.030718 | ¥11030.72 |
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 15.8 A
漏源电阻 180 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 43 nC
耗散功率 130 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
上升时间 40 ns
典型关闭延迟时间 100 ns
典型接通延迟时间 75 ns
高度 15.1 mm
长度 10.16 mm
宽度 4.45 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0TK16E60W5,S1VX
型号:TK16E60W5,S1VX
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥20.866432 |
10+: | ¥18.753037 |
100+: | ¥15.364248 |
500+: | ¥13.07924 |
1000+: | ¥11.030718 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥20.87