
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥17.061563 | ¥17.06 |
| 10 | ¥15.333533 | ¥153.34 |
| 100 | ¥12.56267 | ¥1256.27 |
| 500 | ¥10.694319 | ¥5347.16 |
| 1000 | ¥9.019333 | ¥9019.33 |
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 15.8 A
漏源电阻 180 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 43 nC
耗散功率 130 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
上升时间 40 ns
典型关闭延迟时间 100 ns
典型接通延迟时间 75 ns
高度 15.1 mm
长度 10.16 mm
宽度 4.45 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0TK16E60W5,S1VX
型号:TK16E60W5,S1VX
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥17.061563 |
| 10+: | ¥15.333533 |
| 100+: | ¥12.56267 |
| 500+: | ¥10.694319 |
| 1000+: | ¥9.019333 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥17.06