STD100NH02LT4
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- STD100NH02LT4
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 24V 60A DPAK
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥31.592663 | ￥31.59 |
| 10 | ￥28.376728 | ￥283.77 |
| 25 | ￥26.775844 | ￥669.40 |
| 100 | ￥20.885159 | ￥2088.52 |
| 250 | ￥20.349642 | ￥5087.41 |
| 500 | ￥17.672058 | ￥8836.03 |
| 1000 | ￥14.994474 | ￥14994.47 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STD100NH02LT4
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET N-CH 24V 60A DPAK
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
STripFET™ II
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
24V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
4.8mOhm @ 30A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.8V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
84nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
3940pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
100W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
DPAK
封装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
STD100NH02LT4 相关产品
STD100NH02LT4 同类别型号
注
STD100NH02LT4品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购STD100NH02LT4、查询STD100NH02LT4代理商；
STD100NH02LT4价格批发咨询客服；这里拥有
STD100NH02LT4中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到STD100NH02LT4
替代型号
、STD100NH02LT4
数据手册PDF。
STD100NH02LT4
型号：STD100NH02LT4
品牌：ST
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥31.592663 |
| 10+： | ￥28.376728 |
| 25+： | ￥26.775844 |
| 100+： | ￥20.885159 |
| 250+： | ￥20.349642 |
| 500+： | ￥17.672058 |
| 1000+： | ￥14.994474 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥31.59