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APT21M100J

MICROSEMI(美高森美)
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制造商编号:
APT21M100J
制造商:
MICROSEMI(美高森美)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227
渠道:
国内现货
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数量 价格 总计
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规格参数

属性
参数值

制造商型号

APT21M100J

制造商

MICROSEMI(美高森美)

商品描述

MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227

包装

Tube

系列

POWER MOS 8™

零件状态

Active

FET 类型

N-Channel

技术

MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss)

1000V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

21A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)

380mOhm @ 16A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

5V @ 2.5mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

260nC @ 10V

Vgs(最大值)

±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)

8500pF @ 25V

FET 功能

-

功率耗散(最大值)

462W (Tc)

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Chassis Mount

供应商器件封装

ISOTOP®

封装/外壳

SOT-227-4, miniBLOC

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型号:APT21M100J

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