
货期:国内(1~3工作日)
起订量:250
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 250 | ¥3.450183 | ¥862.55 |
| 500 | ¥2.952574 | ¥1476.29 |
| 1250 | ¥2.405228 | ¥3006.54 |
| 2500 | ¥2.264197 | ¥5660.49 |
| 6250 | ¥2.156365 | ¥13477.28 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 7.1 A
漏源电阻 19 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 5 nC
耗散功率 1.4 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 11.3 S
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 33 ns
典型接通延迟时间 7 ns
高度 0.35 mm
长度 1.53 mm
宽度 0.77 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 0.700 mg
购物车
0CSD13385F5T
型号:CSD13385F5T
品牌:TI
供货:锐单
单价:
| 250+: | ¥3.450183 |
| 500+: | ¥2.952574 |
| 1250+: | ¥2.405228 |
| 2500+: | ¥2.264197 |
| 6250+: | ¥2.156365 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00