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IRFIBE30GPBF

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
IRFIBE30GPBF
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220FP
渠道:
国内现货
自营
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 15.421028 15.42
10 13.857052 138.57
100 11.352502 1135.25
500 9.663954 4831.98
1000 8.150342 8150.34

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 800 V

漏极电流 2.1 A

漏源电阻 3 Ohms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 2 V

栅极电荷 78 nC

耗散功率 35 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 Through Hole

产品类型 MOSFET

单位重量 2 g

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IRFIBE30GPBF

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型号:IRFIBE30GPBF

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥15.421028
10+: ¥13.857052
100+: ¥11.352502
500+: ¥9.663954
1000+: ¥8.150342

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