
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥15.421028 | ¥15.42 |
| 10 | ¥13.857052 | ¥138.57 |
| 100 | ¥11.352502 | ¥1135.25 |
| 500 | ¥9.663954 | ¥4831.98 |
| 1000 | ¥8.150342 | ¥8150.34 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 2.1 A
漏源电阻 3 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 78 nC
耗散功率 35 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
购物车
0IRFIBE30GPBF
型号:IRFIBE30GPBF
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥15.421028 |
| 10+: | ¥13.857052 |
| 100+: | ¥11.352502 |
| 500+: | ¥9.663954 |
| 1000+: | ¥8.150342 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥15.42