货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥10.54152 | ¥10.54 |
10 | ¥9.67032 | ¥96.70 |
30 | ¥9.49608 | ¥284.88 |
100 | ¥8.97336 | ¥897.34 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 50 A
漏源电阻 40 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 156 nC
耗散功率 300 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 48 ns
正向跨导(Min) 27 S
上升时间 60 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 55 ns
典型接通延迟时间 17 ns
高度 20.7 mm
长度 15.87 mm
宽度 5.31 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFP260MPBF SP001572874
单位重量 6 g
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0IRFP260MPBF
型号:IRFP260MPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥10.54152 |
10+: | ¥9.67032 |
30+: | ¥9.49608 |
100+: | ¥8.97336 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥10.54