
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥4.854749 | ¥4.85 |
| 10 | ¥4.460054 | ¥44.60 |
| 30 | ¥4.381115 | ¥131.43 |
| 100 | ¥4.144298 | ¥414.43 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 50 A
漏源电阻 40 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 156 nC
耗散功率 300 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 48 ns
正向跨导(Min) 27 S
上升时间 60 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 55 ns
典型接通延迟时间 17 ns
高度 20.7 mm
长度 15.87 mm
宽度 5.31 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFP260MPBF SP001572874
单位重量 6 g
购物车
0IRFP260MPBF
型号:IRFP260MPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥4.854749 |
| 10+: | ¥4.460054 |
| 30+: | ¥4.381115 |
| 100+: | ¥4.144298 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥4.85