货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥11.610601 | ¥11.61 |
10 | ¥9.461405 | ¥94.61 |
100 | ¥7.361615 | ¥736.16 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 7.1 A
漏源电阻 19 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 5 nC
耗散功率 1.4 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 11.3 S
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 33 ns
典型接通延迟时间 7 ns
高度 0.35 mm
长度 1.53 mm
宽度 0.77 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 0.700 mg
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0CSD13385F5T
型号:CSD13385F5T
品牌:TI
供货:锐单
单价:
1+: | ¥11.610601 |
10+: | ¥9.461405 |
100+: | ¥7.361615 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥11.61