
货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥615.347735 | ¥615.35 |
| 10 | ¥548.29812 | ¥5482.98 |
| 100 | ¥481.262793 | ¥48126.28 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1 kV
漏极电流 23 A
漏源电阻 350 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 195 nC
耗散功率 570 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
上升时间 300 ns
晶体管类型 1 N-Channel
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
购物车
0IXFR32N100Q3
型号:IXFR32N100Q3
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥615.347735 |
| 10+: | ¥548.29812 |
| 100+: | ¥481.262793 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥615.35