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制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
产品 MOSFET
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 1.5 A
漏源电阻 270 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 6.5 nC
耗散功率 700 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13 ns
正向跨导(Min) 1.2 S
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 40 ns
典型接通延迟时间 12 ns
高度 0.65 mm
长度 1.7 mm
宽度 1.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Power MOSFET
零件号别名 RW1E015RP
单位重量 3 mg
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0RW1E015RPT2R
型号:RW1E015RPT2R
品牌:ROHM
供货:锐单
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