
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥9.521031 | ¥9.52 |
| 10 | ¥8.492322 | ¥84.92 |
| 100 | ¥6.619853 | ¥661.99 |
| 500 | ¥5.468684 | ¥2734.34 |
| 1000 | ¥4.317405 | ¥4317.40 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 55 V
漏极电流 72 A
漏源电阻 11 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 80 nC
耗散功率 130 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF1010NPBF SP001563032
单位重量 2 g
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0IRF1010NPBF
型号:IRF1010NPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥9.521031 |
| 10+: | ¥8.492322 |
| 100+: | ¥6.619853 |
| 500+: | ¥5.468684 |
| 1000+: | ¥4.317405 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥9.52